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ADI HMC441LC3BTR 砷化鎵 pHEMT MMIC 中功率放大器

ADI HMC441LC3BTR 砷化鎵 pHEMT MMIC 中功率放大器

來源:本站時間:2025-07-04瀏覽數(shù):

深圳市明佳達(dá)電子有限公司 供應(yīng) ADI HMC441LC3BTR 砷化鎵 pHEMT MMIC 中功率放大器深圳市明佳達(dá)電子有限公司作為全球知名的電子元器件分銷商,長期供應(yīng)ADI的HMC441LC3BTR砷化鎵pHEMT MMIC中功率放大器,這款HMC441LC3BTR高性能射頻器件在6GHz至18GHz頻段內(nèi)展現(xiàn)出卓越的電…

深圳市明佳達(dá)電子有限公司 供應(yīng) ADI HMC441LC3BTR 砷化鎵 pHEMT MMIC 中功率放大器


深圳市明佳達(dá)電子有限公司作為全球知名的電子元器件分銷商,長期供應(yīng)ADI的HMC441LC3BTR砷化鎵pHEMT MMIC中功率放大器,這款HMC441LC3BTR高性能射頻器件在6GHz至18GHz頻段內(nèi)展現(xiàn)出卓越的電氣特性,廣泛應(yīng)用于點(diǎn)對點(diǎn)無線電、VSAT系統(tǒng)、軍用電子戰(zhàn)設(shè)備等高端領(lǐng)域。


HMC441LC3BTR的產(chǎn)品概述與技術(shù)規(guī)格:

HMC441LC3BTR是一款高效砷化鎵pHEMT(偽形態(tài)高電子遷移率晶體管)MMIC(單片微波集成電路)中功率放大器,采用符合RoHS規(guī)范的無鉛表面貼裝封裝。該HMC441LC3BTR產(chǎn)品在射頻放大器領(lǐng)域以其出色的性能指標(biāo)和廣泛的應(yīng)用適應(yīng)性而著稱。


從封裝形式來看,HMC441LC3BTR采用12-VFCQFN(12引腳裸露焊盤四方扁平無引線)封裝,尺寸緊湊為3x3mm,符合現(xiàn)代電子設(shè)備小型化、高集成度的設(shè)計趨勢。這種封裝不僅具有良好的熱性能,便于散熱管理,而且與大批量表面貼裝制造技術(shù)兼容,大大簡化了生產(chǎn)流程。


HMC441LC3BTR的主要技術(shù)參數(shù)包括:

工作頻率范圍:6GHz至18GHz,覆蓋C波段、X波段和Ku波段

增益:14dB(典型值),提供穩(wěn)定的信號放大能力

飽和輸出功率:+21.5dBm(約141mW),適合中功率應(yīng)用場景

功率附加效率(PAE):27%,在能效表現(xiàn)上優(yōu)于同類產(chǎn)品

1dB壓縮點(diǎn)輸出功率(P1dB):20dBm,確保線性工作區(qū)域足夠?qū)?/span>

噪聲系數(shù):4.5dB,在功率放大器中屬于較低水平

工作電壓:單電源5V供電,簡化系統(tǒng)電源設(shè)計

工作電流:115mA,功耗控制合理


HMC441LC3BTR的一個顯著設(shè)計優(yōu)勢是其完全集成的50歐姆匹配網(wǎng)絡(luò),這意味著工程師在應(yīng)用該器件時無需額外設(shè)計復(fù)雜的阻抗匹配電路,也不需要任何外部元件,極大地簡化了射頻系統(tǒng)設(shè)計流程,降低了開發(fā)難度和BOM成本。輸入和輸出端口均采用直流阻斷設(shè)計,進(jìn)一步方便了系統(tǒng)集成。


HMC441LC3BTR的性能特點(diǎn)與設(shè)計優(yōu)勢:

HMC441LC3BTR作為一款基于砷化鎵pHEMT工藝的MMIC中功率放大器,在射頻性能、集成度和可靠性方面具有多重優(yōu)勢,使其成為高頻應(yīng)用中的理想選擇。


寬頻帶性能是該HMC441LC3BTR放大器最突出的特點(diǎn)之一。6GHz至18GHz的連續(xù)工作頻帶覆蓋了多個重要射頻頻段,包括C波段(4-8GHz)、X波段(8-12GHz)和Ku波段(12-18GHz)。這種寬頻帶特性使單一器件就能滿足多種應(yīng)用需求,大大減少了系統(tǒng)設(shè)計中的頻帶切換復(fù)雜度,同時也降低了物料管理和庫存成本。


在功率性能方面,HMC441LC3BTR提供了+21.5dBm的飽和輸出功率和20dBm的1dB壓縮點(diǎn)輸出功率,配合14dB的增益,使其成為優(yōu)秀的線性增益塊或驅(qū)動器。27%的功率附加效率(PAE)表現(xiàn)優(yōu)異,意味著更多的直流功率被轉(zhuǎn)化為有用的射頻輸出功率,減少了系統(tǒng)熱耗散需求。與傳統(tǒng)的硅基放大器相比,基于砷化鎵pHEMT技術(shù)的這款器件在效率、頻率特性和溫度穩(wěn)定性方面都有明顯優(yōu)勢。


系統(tǒng)集成便利性是HMC441LC3BTR的另一大亮點(diǎn)。完全集成的50歐姆輸入輸出匹配省去了外部匹配網(wǎng)絡(luò)的設(shè)計煩惱,直流阻斷的輸入輸出端口簡化了偏置電路設(shè)計,表面貼裝封裝(SMT)則與現(xiàn)代PCB組裝工藝完美兼容。這些特性共同使該器件成為"即插即用"的射頻解決方案,顯著縮短了產(chǎn)品開發(fā)周期。


從可靠性角度看,砷化鎵pHEMT技術(shù)本身就具有高溫工作能力和良好的抗輻射性能,加上ADI嚴(yán)格的質(zhì)量控制體系,確保了HMC441LC3BTR在苛刻環(huán)境下的穩(wěn)定工作。明佳達(dá)電子作為授權(quán)分銷商,保證所供應(yīng)的每一顆器件都是原廠正品,并提供完整的質(zhì)量追溯服務(wù)。


HMC441LC3BTR的典型應(yīng)用領(lǐng)域:

在點(diǎn)對點(diǎn)無線電通信領(lǐng)域,HMC441LC3BTR常被用作中頻或射頻段的驅(qū)動放大器。其寬頻帶特性特別適合多頻段工作的微波鏈路系統(tǒng),而良好的線性度則確保了高階調(diào)制信號(如256QAM或1024QAM)的傳輸質(zhì)量。14dB的增益可以有效補(bǔ)償傳輸路徑中的損耗,提升系統(tǒng)整體信噪比。


衛(wèi)星通信系統(tǒng),特別是VSAT(甚小孔徑終端)設(shè)備,是該放大器的另一重要應(yīng)用場景。在Ku波段(12-18GHz)的衛(wèi)星通信中,HMC441LC3BTR可以作為上變頻器后的功率驅(qū)動級,或者在下行鏈路中作為低噪聲放大器后的增益級。其穩(wěn)定的性能和緊湊的封裝特別適合空間受限的VSAT終端設(shè)備。


軍用電子系統(tǒng)對HMC441LC3BTR有著持續(xù)的需求。在電子戰(zhàn)(EW)和電子對抗(ECM)設(shè)備中,該放大器可用于干擾信號生成鏈或接收機(jī)前端。寬頻帶特性使其能夠覆蓋多種威脅頻率,而砷化鎵工藝固有的抗輻射能力則增強(qiáng)了在惡劣電磁環(huán)境中的可靠性。


此外,HMC441LC3BTR還非常適合用作混頻器的本地振蕩器(LO)驅(qū)動器。在超外差接收機(jī)架構(gòu)中,驅(qū)動混頻器LO端口需要足夠的功率以確保良好的轉(zhuǎn)換效率,同時要求低相位噪聲以避免惡化系統(tǒng)噪聲性能。這款放大器的高線性度和適中功率水平使其成為LO驅(qū)動的理想選擇。


在測試測量設(shè)備中,HMC441LC3BTR可以作為信號源輸出級的補(bǔ)充放大器,或者在接收通道中提供必要的增益。6-18GHz的寬頻帶覆蓋減少了測試系統(tǒng)中所需的放大器數(shù)量,簡化了儀器設(shè)計。


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