商品名稱(chēng):功率 MOSFET 晶體管
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:PG-WSON-8
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:2000 件
BSC030N10NS5SC 是 100V N 溝道 OptiMOS? 5 功率 MOSFET 晶體管,具有雙側(cè)冷卻功能,可提高散熱性能。
特點(diǎn)
高性能硅技術(shù)
低頂部 RthJC(0.72 K/W)
封裝額定溫度達(dá) TJmax=175oC
行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)基底面,兼容 SuperSO8 和 PQFN 5x6 產(chǎn)品
優(yōu)勢(shì)
降低傳導(dǎo)損耗和開(kāi)關(guān)損耗,提高系統(tǒng)效率
改進(jìn)散熱,實(shí)現(xiàn)高功率密度和更高可靠性
出色的功率處理能力和堅(jiān)固性,可延長(zhǎng)使用壽命
可直接替換 SuperSO8 和 PQFN 5x6,易于設(shè)計(jì),無(wú)需更改 PCB 布局
應(yīng)用
電動(dòng)工具和園藝工具
服務(wù)機(jī)器人和自動(dòng)導(dǎo)引車(chē) (AGV)
電信電源
服務(wù)器電源
DIN 導(dǎo)軌電源
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門(mén)子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門(mén),于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱(chēng)為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿(mǎn)足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…IPT65R025CM8
IPT65R025CM8是一款根據(jù)超級(jí)結(jié)(SJ)原理設(shè)計(jì)的101 A、CoolMOS? CM8 650V功率MOSFET,具有低開(kāi)關(guān)和導(dǎo)通損耗。該款MOSFET具有低振鈴特性及PFC與PWM級(jí)通用性,可實(shí)現(xiàn)快速設(shè)計(jì)導(dǎo)入。IPT65R025CM8采用先進(jìn)的芯片連接技術(shù),可簡(jiǎn)化熱管理。此外,IPT65R025CM8符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),且…IPTC068N20NM6
IPTC068N20NM6功率MOSFET是一款N溝道正常電平MOSFET,采用 PG-HDSOP-16 封裝。這款MOSFET符合IEC61249?2?21規(guī)定的無(wú)鹵素要求,根據(jù)J?STD-020標(biāo)準(zhǔn)分類(lèi)潮濕敏感度等級(jí)為 (MSL 1) 。IPTC068N20NM6具有以下關(guān)鍵參數(shù):FET 類(lèi)型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(…IPP095N20NM6
IPP095N20NM6是一款116 A、OptiMOS? 6 200V 功率MOSFET,設(shè)計(jì)符合IEC61249?2?21規(guī)定的無(wú)鹵素要求。IPP095N20NM6器件采用 PG-TO220-3 封裝,具有優(yōu)良柵極電荷 xRDS(on) 積 (FOM)、極低反向恢復(fù)電荷 (Qrr) 和低導(dǎo)通電阻RDS(on) 。IPP095N20NM6主要具備以下特性:N溝道,…IPP130N20NM6
IPP130N20NM6是(Infineon)推出的 OptiMos? 6 系列功率晶體管,主要應(yīng)用于工業(yè)、消費(fèi)類(lèi)電池管理系統(tǒng) (BMS)、電機(jī)控制及驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。以下是其核心特性:N溝道,正常電平200 V漏源電壓低導(dǎo)通電阻(R DS(on))優(yōu)良柵極電荷 x RDS(on) 積 (FOM)極低反向恢復(fù)電荷 (Q rr)工作…IPB095N20NM6
IPB095N20NM6功率MOSFET是一款N溝道正常電平MOSFET,采用PG-TO263-3封裝。它具有優(yōu)良柵極電荷 xRDS(on) 積 (FOM)、極低反向恢復(fù)電荷 (Qrr) 和低導(dǎo)通電阻RDS(on) 。該產(chǎn)品符合IEC61249?2?21規(guī)定的無(wú)鹵素要求,根據(jù)J?STD-020標(biāo)準(zhǔn)分類(lèi)潮濕敏感度等級(jí)為 (MSL 1) 。IPB095N…電話咨詢(xún):86-755-83294757
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