商品名稱：AIKBE50N65RF5
品牌：INFINEON
年份：24+
封裝：TO-263-8
貨期：全新原裝
庫(kù)存數(shù)量：3000 件
AIKBE50N65RF5 是 650V TRENCHSTOP? 5 AUTO 快速開(kāi)關(guān) IGBT 和 CoolSiC? 肖特基二極管的混合器件，可為車載充電器、PFC、DC-DC 等快速開(kāi)關(guān)汽車應(yīng)用提供經(jīng)濟(jì)高效的性能提升。
特性
650 V 擊穿電壓
IC = 50 A
同類最佳效率
Trenchstop? 5 快速開(kāi)關(guān) IGBT
CoolSiC? 肖特基二極管 G5
低柵極電荷 QG
最高結(jié)溫 Tvjmax = 175°C
開(kāi)爾文發(fā)射極連接
優(yōu)點(diǎn)
在環(huán)境條件下具有最高的可靠性
提高系統(tǒng)效率
硬開(kāi)關(guān)拓?fù)涞淖罴研阅?成本比
支持雙向板載充電器設(shè)計(jì)
應(yīng)用
板載充電器
直流/直流轉(zhuǎn)換器
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ROHM
TO-247GE
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 5μs Short-Circuit Tolerance, 650V 30A, FRD Built-in, TO-247GE
Microchip
TO-264-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 75 A TO-264
Microchip
TO-247-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 50 A TO-247
Microchip
TO-264-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 1200 V 35 A TO-264 MAX
Microchip
TO-264-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 100 A TO-264
Microchip
TO-247-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 50 A TO-247
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立，是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門(mén)子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門(mén)，于1999年獨(dú)立，2000年上市。其中文名稱為億恒科技，2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司，為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器，具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要，在這些應(yīng)用中，價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…
BTS5016SDA
BTS5016SDA 是一款采用 PG-TO252-5-11 封裝的單通道高側(cè)功率開(kāi)關(guān)，內(nèi)置保護(hù)功能。
BSZ440N10NS3G
BSZ440N10NS3G 是英飛凌推出的 N溝道功率MOSFET，屬于 OptiMOS? 3 系列，采用 PG-TSDSON-8封裝，該器件專為高效率、高功率密度的電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)計(jì)，具有低導(dǎo)通電阻、快速開(kāi)關(guān)能力和高可靠性等特點(diǎn)。BSZ440N10NS3G產(chǎn)品特性低導(dǎo)通電阻：RDS(on) 低至 1.1 毫歐，顯著降低功…
BTS5210L
BTS5210L是英飛凌推出的 PROFET?（Protected FET）智能高側(cè)電源開(kāi)關(guān)，屬于多通道功率開(kāi)關(guān)IC，專為 汽車電子、工業(yè)控制及電源管理 等應(yīng)用設(shè)計(jì)。
BSZ011NE2LS5I
BSZ011NE2LS5I是（Infineon）推出的OptiMOS? 5功率MOSFET，設(shè)計(jì)符合提升系統(tǒng)效率的需求，同時(shí)可降低系統(tǒng)成本。相較于其他備選器件，該器件的RDS(on)和品質(zhì)因數(shù) (RDS(on) x Qg) 更低。以下是其核心特性：出色的導(dǎo)通電阻符合標(biāo)準(zhǔn)的開(kāi)關(guān)性能（低品質(zhì)因數(shù)Ron x Qg和Ron x Qg…
ISC052N03LF2S
ISC052N03LF2S是一款74 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET，具有很高的能效，可提高系統(tǒng)的整體性能，同時(shí)還具有出色的穩(wěn)健性。該產(chǎn)品針對(duì)低開(kāi)關(guān)頻率和高開(kāi)關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化，可為各種應(yīng)用提供支持，實(shí)現(xiàn)靈活設(shè)計(jì)。主要規(guī)格FET 類型：N 通道技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）漏源…電話咨詢：86-755-83294757
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