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商品名稱(chēng):1ED3127MU12FXUMA1
數(shù)據(jù)手冊(cè):1ED3127MU12FXUMA1.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:8-SOIC
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
EiceDRIVER? Compact單通道隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器:適用于 IGBT、 MOSFET和SiC MOSFET,10 A典型灌電流和拉電流峰值輸出,DSO-8 窄體封裝。
1ED3127MU12FXUMA1是EiceDRIVER? Compact 1ED31xx產(chǎn)品系列(X3 緊湊型系列)中的一款產(chǎn)品。1ED3127具有有源米勒鉗位,為SiC MOSFET度身定制的欠壓鎖定(UVLO)保護(hù),精確穩(wěn)定的定時(shí)功能,確保在輸出芯片未連接電源的情況下,IGBT處于安全關(guān)斷狀態(tài),短路鉗位限制短路時(shí)的柵極電壓。此驅(qū)動(dòng)器可在廣泛的供電電壓(無(wú)論單極或雙極)范圍內(nèi)操作。
特征描述
EiceDRIVER? Compact單通道隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器1ED31xx產(chǎn)品系列(X3 緊湊型系列)
適用于2300 V IGBT、SiC和SiMOSFET
適用于峰值壓差2300V的系統(tǒng)應(yīng)用
電隔離無(wú)磁芯變壓器柵極驅(qū)動(dòng)器
10 A典型灌電流和拉電流輸出峰值電流
40 V絕對(duì)最大輸出電源電壓
90 ns傳輸延遲,30 ns輸入濾波器
高共模瞬態(tài)抗擾度:CMTI>200 kV/μs
有源米勒鉗位
短路鉗位和主動(dòng)關(guān)斷
DSO-8 150 mil窄體封裝
帶遲滯特性的12 V/14.2 V欠壓鎖定(UVLO)保護(hù)
潛在應(yīng)用
交流和無(wú)刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
高壓直流-直流轉(zhuǎn)換器和直流-交流逆變器
感應(yīng)加熱諧振應(yīng)用
UPS 系統(tǒng)
商用空調(diào) (CAC)
服務(wù)器和電信開(kāi)關(guān)電源 (SMPS)
太陽(yáng)能逆變器,例如用于 1500 V(直流)系統(tǒng)的逆變器
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
TI
SOIC-8
5000
具有 UVLO(以 GND 為基準(zhǔn))或分離輸出的 3kVrms/5kVrms、±10A 單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門(mén)子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門(mén),于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱(chēng)為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿(mǎn)足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…ISZ056N03LF2S
ISZ056N03LF2S是(Infineon)推出的StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有 72 A 電流,主要針對(duì)低開(kāi)關(guān)頻率和高開(kāi)關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)了設(shè)計(jì)靈活性。ISZ056N03LF2S具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時(shí)還具有出色的穩(wěn)健性。主要規(guī)格FET 類(lèi)型:N 通道技術(shù):MOSFET…ISZ033N03LF2S
ISZ033N03LF2S是(Infineon)推出的109 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,主要針對(duì)低開(kāi)關(guān)頻率和高開(kāi)關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)了設(shè)計(jì)靈活性。以下是其關(guān)鍵參數(shù):FET 類(lèi)型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):30 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):20A(Ta),…IPD030N03LF2S
IPD030N03LF2S是【Infineon】推出的一款99 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時(shí)還具有出色的穩(wěn)健性。IPD030N03LF2S主要針對(duì)低開(kāi)關(guān)頻率和高開(kāi)關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)了設(shè)計(jì)靈活性。以下是其核心特性:針對(duì)各種應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化N溝…IPD040N03LF2S
IPD040N03LF2S是一款73 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,主要針對(duì)低開(kāi)關(guān)頻率和高開(kāi)關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)了設(shè)計(jì)靈活性。該設(shè)備具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時(shí)還具有出色的穩(wěn)健性。IPD040N03LF2S典型應(yīng)用包括開(kāi)關(guān)模式電源 (SMPS)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、電池供電設(shè)…IPT65R025CM8
IPT65R025CM8是一款根據(jù)超級(jí)結(jié)(SJ)原理設(shè)計(jì)的101 A、CoolMOS? CM8 650V功率MOSFET,具有低開(kāi)關(guān)和導(dǎo)通損耗。該款MOSFET具有低振鈴特性及PFC與PWM級(jí)通用性,可實(shí)現(xiàn)快速設(shè)計(jì)導(dǎo)入。IPT65R025CM8采用先進(jìn)的芯片連接技術(shù),可簡(jiǎn)化熱管理。此外,IPT65R025CM8符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),且…電話(huà)咨詢(xún):86-755-83294757
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