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深圳市明佳達電子有限公司

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AI 處理器

電阻器網絡

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IMW120R220M1H

產品說明：采用TO247-3封裝的1200 V CoolSiC?溝槽式碳化硅MOSFET

封裝：TO-247-3
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IAUC60N04S6N031H

產品說明：MOSFET - 陣列 40V 60A（Tj） 75W（Tc） 表面貼裝型 PG-TDSON-8-56

封裝：PG-TDSON-8-56
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IAUT240N08S5N019

產品說明：表面貼裝型 N 通道 80 V 240A（Tc） 230W（Tc） PG-HSOF-8-1

封裝：PG-HSOF-8-1
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IAUA220N08S5N021

產品說明：表面貼裝型 N 通道 80 V 220A（Tj） 211W（Tc） PG-HSOF-5-4

封裝：PG-HSOF-5-4
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
AIDK12S65C5ATMA1

產品說明：二極管 650 V 12A 表面貼裝型 PG-TO263-2

封裝：TO263-2
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
AIDK10S65C5ATMA1

產品說明：二極管 650 V 10A 表面貼裝型 PG-TO263-2

封裝：TO263-2
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
AIDK08S65C5ATMA1

產品說明：二極管 650 V 8A 表面貼裝型 PG-TO263-2

封裝：TO263-2
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG120R030M1H

產品說明：采用TO-263-7封裝的1200 V CoolSiC?溝槽型碳化硅MOSFET

封裝：TO-263-7
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IMW65R039M1H

產品說明：650V CoolSiC? MOSFET – 碳化硅（SiC）MOSFET 采用 TO247 3 引腳封裝，性能可靠且經濟高效

封裝：TO-247-3
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IMW65R027M1H

產品說明：650V CoolSiC? MOSFET – 碳化硅（SiC）MOSFET 采用 TO247 3 引腳封裝，性能可靠且經濟高效

封裝：TO-247-3
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG65R260M1H

產品說明：SMD緊湊型封裝SiC MOSFET

封裝：TO-263-7
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZA65R039M1H

產品說明：650V CoolSiC? MOSFET – 碳化硅（SiC）MOSFET 采用 TO247 4 引腳封裝，性能可靠且經濟高效

封裝：TO-247-4
10起
12250
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IMW65R057M1H

產品說明：650V CoolSiC? MOSFET – 碳化硅（SiC）MOSFET 采用 TO247 3 引腳封裝，性能可靠且經濟高效

封裝：TO-247-3
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IMW120R140M1H

產品說明：采用TO247-3封裝的CoolSiC? 1200 V溝槽式碳化硅MOSFET

封裝：TO247-3
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IMW65R083M1H

產品說明：650V CoolSiC? MOSFET – 碳化硅（SiC）MOSFET 采用 TO247 3 引腳封裝，性能可靠且經濟高效

封裝：TO-247-3
10起
4000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZA65R107M1H

產品說明：650V CoolSiC? MOSFET – 碳化硅（SiC）MOSFET 采用 TO247 4 引腳封裝，性能可靠且經濟高效

封裝：TO-247-4
10起
10000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
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